Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL125N10LF8AG
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GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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PowerFLAT-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
STB25N018M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT190R70ILB
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GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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511-STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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1
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600
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
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Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
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IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
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511-PD55008-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1 342 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡9 113,35
10
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
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41 533 En existencias
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511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41 533 En existencias
1
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10
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₡188,93
6 000
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₡236,29
6 000
₡188,41
9 000
₡184,24
24 000
₡181,12
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
STMicroelectronics
1:
₡4 449,98
3 719 En existencias
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511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3 719 En existencias
1
₡4 449,98
10
₡3 200,86
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500
₡2 888,58
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₡2 737,65
3 000
₡2 571,10
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
STMicroelectronics
1:
₡5 907,28
6 374 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
6 374 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡5 907,28
10
₡4 111,68
100
₡3 788,99
400
₡3 752,56
1 200
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1 200
₡3 736,94
10 000
Presupuesto
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
₡6 458,98
2 439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2 439 En existencias
1
₡6 458,98
10
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₡3 658,87
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₡3 101,97
3 000
₡3 044,72
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
STL60N10F7
STMicroelectronics
1:
₡1 040,93
26 933 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
26 933 En existencias
1
₡1 040,93
10
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100
₡446,56
500
₡353,92
1 000
₡323,73
3 000
₡285,22
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3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 399,35
2 389 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 389 En existencias
1
₡2 399,35
10
₡1 582,21
100
₡1 119,00
500
₡957,66
2 500
₡780,70
5 000
₡775,49
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2 500
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
₡10 617,49
177 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
177 En existencias
1
₡10 617,49
10
₡7 583,18
100
₡5 532,55
200
₡5 532,55
400
₡5 527,34
1 000
Ver
1 000
₡5 501,32
2 400
Presupuesto
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200
Detalles
MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
₡9 691,07
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
508 En existencias
1
₡9 691,07
10
₡6 042,60
120
₡5 464,89
510
₡5 022,49
1 020
₡4 944,42
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
1:
₡2 139,11
11 080 En existencias
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BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11 080 En existencias
1
₡2 139,11
10
₡1 150,23
100
₡910,81
600
₡869,18
1 200
₡733,86
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Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
STMicroelectronics
1:
₡11 216,03
774 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
STMicroelectronics
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
774 En existencias
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Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 556,19
19 971 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
19 971 En existencias
1
₡1 556,19
10
₡1 009,70
100
₡697,42
500
₡562,10
1 000
Ver
3 000
₡460,61
1 000
₡530,87
3 000
₡460,61
24 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
₡796,31
38 291 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38 291 En existencias
1
₡796,31
10
₡493,40
100
₡332,58
500
₡260,23
3 000
₡236,81
6 000
Ver
1 000
₡237,33
6 000
₡230,57
9 000
₡214,43
24 000
₡209,75
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
STMicroelectronics
1:
₡3 435,07
4 709 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4 709 En existencias
1
₡3 435,07
10
₡2 388,94
100
₡2 264,02
500
₡1 977,77
1 000
₡1 800,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
₡8 098,44
1 540 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1 540 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡8 098,44
10
₡5 730,32
100
₡5 303,54
400
₡5 298,34
1 200
Ver
1 200
Presupuesto
Comprar
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Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
STB55NF06T4
STMicroelectronics
1:
₡1 587,42
3 718 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB55NF06
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp
3 718 En existencias
1
₡1 587,42
10
₡1 030,52
100
₡728,65
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₡603,74
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2 000
Ver
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel