Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
STP80NF10
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511-STP80NF10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
STB140NF55T4
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511-STB140NF55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp
STP24NF10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp
5 748 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II
STD9NM40N
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511-STD9NM40N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
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STGWA50M65DF2
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511-STGWA50M65DF2
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IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
360°
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STHU32N65DM6AG
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511-STHU32N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
SD2931-11W
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1:
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511-SD2931-11W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
STL125N8F7AG
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511-STL125N8F7AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL28N60DM2
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511-STL28N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
1 241 En existencias
1
₡2 789,69
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015S-E
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511-PD55015S-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
228 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
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511-STB31N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
995 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
BD912
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1:
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BD912
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511-BD912
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
5 497 En existencias
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₡1 197,07
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₡375,78
2 000
₡352,36
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₡337,78
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
MD2001FX
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1:
₡1 920,52
4 672 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-MD2001FX
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
4 672 En existencias
1
₡1 920,52
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600
₡650,58
1 200
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1 200
₡614,15
5 100
₡582,92
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
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1:
₡11 543,92
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N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
575 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡11 543,92
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100
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
STB15N80K5
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1:
₡3 206,07
677 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB15N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A
677 En existencias
1
₡3 206,07
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₡1 452,10
1 000
₡1 311,57
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STB45N40DM2AG
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1:
₡4 351,09
950 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N40DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
950 En existencias
1
₡4 351,09
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100
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500
₡2 118,29
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₡1 967,36
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
1:
₡1 707,13
1 209 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
1 209 En existencias
1
₡1 707,13
10
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500
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1 000
₡629,76
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
1:
₡1 321,98
5 406 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
5 406 En existencias
1
₡1 321,98
10
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1 000
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2 500
₡449,68
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2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
STD4NK100Z
STMicroelectronics
1:
₡1 759,17
7 276 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
7 276 En existencias
1
₡1 759,17
10
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100
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500
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2 500
₡582,92
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2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
STD5NM60T4
STMicroelectronics
1:
₡1 498,94
1 845 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
1 845 En existencias
1
₡1 498,94
10
₡843,15
100
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₡551,69
2 500
₡546,49
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Carrete :
2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STD7N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 025,32
3 256 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
3 256 En existencias
1
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10
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5 000
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1 000
₡311,76
5 000
₡263,88
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2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
STD9NM50N
STMicroelectronics
1:
₡1 046,14
7 194 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
7 194 En existencias
1
₡1 046,14
10
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Ver
1 000
₡325,81
10 000
₡284,17
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
STGD3HF60HDT4
STMicroelectronics
1:
₡713,04
18 564 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGD3HF60HDT4
STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
18 564 En existencias
1
₡713,04
10
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₡231,09
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₡176,96
5 000
Ver
1 000
₡210,27
5 000
₡170,71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
STGF10NB60SD
STMicroelectronics
1:
₡1 020,11
2 689 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGF10NB60SD
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
2 689 En existencias
1
₡1 020,11
10
₡619,35
100
₡556,90
500
₡442,40
1 000
₡377,86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
STH240N10F7-6
STMicroelectronics
1:
₡2 602,33
3 650 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
3 650 En existencias
1
₡2 602,33
10
₡1 722,74
100
₡1 223,09
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₡1 066,95
1 000
₡994,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel