Infineon MOSFETs de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Hoja de datos
187En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
66En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Hoja de datos
28En existencias
750Se espera el 26/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
118En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
138En existencias
1 000Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1 165En existencias
1 500En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
3 980En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1 356En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
865En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
739En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
651En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
783En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
1 148En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
345En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
753En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC