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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

MRF140
MACOM
1: ₡85 814,93
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF140

N.º de artículo de Mouser
937-MRF140

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

Hoja de datos

22En existencias

₡85 814,93

₡71 713,94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

150 MHz

15 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

BLC2425M10LS250Y
Ampleon
1: ₡64 124,01
57En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS250Y

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Y

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

Hoja de datos

57En existencias

Cinta cortada

₡64 124,01

₡53 866,77

Envase tipo carrete

₡49 876,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

40.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.4 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

BLP15M9S30GXY
Ampleon
1: ₡13 569,70
88En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

88En existencias

Cinta cortada

₡13 569,70

₡11 102,97

Envase tipo carrete

₡9 156,70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

32 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL

BLP15M9S70GXY
Ampleon
1: ₡14 117,26
89En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S70GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL

Hoja de datos

89En existencias

Cinta cortada

₡14 117,26

₡11 796,91

Envase tipo carrete

₡9 725,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

370 mOhms

2 GHz

19.3 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: ₡29 725,39
168En existencias
100Se espera el 14/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

168En existencias

100Se espera el 14/4/2026

₡29 725,39

₡25 355,77

₡23 203,48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

900 mA

65 V

400 MHz

11 dB

5 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: ₡12 355,31
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

167En existencias

₡12 355,31

₡8 923,58

₡8 435,66

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: ₡189 775,20
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

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Hoja de datos

40En existencias

Cinta cortada

₡189 775,20

₡150 822,62

Envase tipo carrete

₡150 822,62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

36 A

133 V

1.8 MHz to 500 MHz

23 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: ₡49 730,26
72En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

72En existencias

₡49 730,26

₡38 638,13

₡37 250,26

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: ₡201 967,87
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

18En existencias

₡201 967,87

₡164 994,10

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

VRF2944
Microchip Technology
1: ₡93 963,25
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2944

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2944

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

Hoja de datos

20En existencias

₡93 963,25

₡93 464,49

₡88 129,86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

50 A

180 V

30 MHz

25 dB

400 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: ₡567 493,17
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF157

N.º de artículo de Mouser
937-MRF157

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

₡567 493,17

₡502 935,44

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: ₡21 490,33
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Obtenga más información

Hoja de datos

243En existencias

₡21 490,33

₡14 962,99

₡14 957,57

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465AG
Microchip Technology
1: ₡33 514,93
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

277En existencias

₡33 514,93

₡29 698,29

₡29 519,38

₡25 399,14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

VRF2933MP
Microchip Technology
1: ₡159 036,01
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933MP

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

Hoja de datos

17En existencias

₡159 036,01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

42 A

180 V

150 MHz

25 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

DU2810S
MACOM
1: ₡39 776,62
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2810S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

51En existencias

₡39 776,62

₡30 050,68

₡29 400,11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.8 A

65 V

175 MHz

13 dB

10 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS

TAV1-331+
Mini-Circuits
1: ₡8 939,85
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS

Obtenga más información

Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

₡8 939,85

₡1 160,17

Envase tipo carrete

₡1 089,70

₡1 084,27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12 dB

21.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

MCLP-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

BLP0427M9S20GXY
Ampleon
1: ₡14 317,85
78En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP0427M9S20GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL

Hoja de datos

78En existencias

Cinta cortada

₡14 317,85

₡11 964,97

Envase tipo carrete

₡9 866,90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

400 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G

AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1: ₡17 418,87
313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G

Hoja de datos

313En existencias

Cinta cortada

₡17 418,87

₡14 588,92

₡12 252,31

Envase tipo carrete

₡12 252,31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WBG-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: ₡11 791,49
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

576En existencias

Cinta cortada

₡11 791,49

₡8 847,68

₡8 012,79

Envase tipo carrete

₡8 012,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1: ₡2 591,42
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK4037(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

Hoja de datos

430En existencias

Cinta cortada

₡2 591,42

₡2 076,39

₡1 680,63

₡1 490,88

Envase tipo carrete

₡1 317,39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

N-Channel

3 A

12 V

470 MHz

11.5 dB

36.5 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

PW-X-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH15F
CML Micro
10: ₡59 711,01
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH15F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

₡59 711,01

₡59 521,27

₡58 567,10

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

150 mA to 190 mA

7.5 V

28 GHz

12 dB

28 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1: ₡63 961,37
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAE263708NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

Cinta cortada

₡63 961,37

₡53 205,36

₡49 150,18

Envase tipo carrete

₡49 150,18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

N-Channel

65 V

80 mOhms

2.62 GHz to 2.69 GHz

13.5 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

HB2SOF-8-1

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: ₡56 940,69
5En existencias
150En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-11W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

5En existencias

150En pedido

₡56 940,69

₡38 388,75

₡37 586,39

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH33F
CML Micro
10: ₡9 395,24
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH33F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

30En existencias

₡9 395,24

₡9 378,98

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N-Channel

GaAs

26 GHz

14 dB

24 dBm

SMD/SMT

Die

Gel Pack

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH8F
CML Micro
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MWT-PH8F

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938-MWT-PH8F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

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GaAs

250 mA to 300 mA

8 V

18 GHz

11 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5