Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Resultados: 68

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

TK4A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 019
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

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Hoja de datos

300En existencias

₡1 019

₡651

₡430

₡352

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

4 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

TK70J20D,S1Q
Toshiba
1: ₡4 608
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK70J20D,S1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TK70J20DS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

Hoja de datos

75En existencias

₡4 608

₡3 356

₡2 792

₡2 483

₡2 326

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

200 V

70 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 150 C

410 W

Enhancement

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba
1: ₡1 144
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65DA(STA4,QM)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

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240En existencias

₡1 144

₡634

₡506

₡374

₡341

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2.5 A

2.51 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 382
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

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263En existencias

₡1 382

₡683

₡607

₡492

₡474

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

10 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK5A90E,S4X
Toshiba
1: ₡1 231
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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146En existencias

₡1 231

₡602

₡558

₡430

₡404

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

4.5 A

3.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
1: ₡1 166
749En existencias
2 000Se espera el 15/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK5P50D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

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749En existencias

2 000Se espera el 15/6/2026

Cinta cortada

₡1 166

₡748

₡506

₡403

₡378

Envase tipo carrete

₡359

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 410
346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

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346En existencias

₡1 410

₡694

₡667

₡501

₡486

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

1.11 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 166
577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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577En existencias

₡1 166

₡569

₡507

₡413

₡375

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 361
103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11A45D(STA4,Q,M)

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757-TK11A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

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103En existencias

₡1 361

₡672

₡640

₡483

₡464

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

450 V

11 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 946
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A60D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

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50En existencias

₡1 946

₡987

₡846

₡759

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba
1: ₡1 794
134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK13A50DA(STA4,Q,M

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A50DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

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Hoja de datos

134En existencias

₡1 794

₡1 084

₡932

₡678

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12.5 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

TK13P25D,RQ
Toshiba
1: ₡900
1 673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK13P25D,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK13P25DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

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Hoja de datos

1 673En existencias

Cinta cortada

₡900

₡575

₡381

₡300

₡274

Envase tipo carrete

₡251

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

13 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK18A30D,S5X
Toshiba
1: ₡1 431
107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK18A30D,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK18A30DS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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Hoja de datos

107En existencias

₡1 431

₡786

₡618

₡469

₡449

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

18 A

139 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡2 429
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK19A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK19A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

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Hoja de datos

53En existencias

₡2 429

₡1 258

₡1 138

₡1 025

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

19 A

250 mOhms

50 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 046
195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK2A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

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Hoja de datos

195En existencias

₡1 046

₡503

₡478

₡357

₡323

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

3.26 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡922
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A60DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A60DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

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Hoja de datos

51En existencias

₡922

₡439

₡384

₡309

₡271

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 133
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

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Hoja de datos

144En existencias

₡1 133

₡553

₡535

₡391

₡361

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2.25 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

TK4A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡694
305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

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Hoja de datos

305En existencias

₡694

₡325

₡295

₡212

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4 A

2 Ohms

30 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba
1: ₡824
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60DB(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DBT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

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Hoja de datos

55En existencias

Cinta cortada

₡824

₡518

₡343

₡271

₡252

Envase tipo carrete

₡216

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

11 nC

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

TK4P60D,RQ
Toshiba
1: ₡824
1 354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60D,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

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Hoja de datos

1 354En existencias

Cinta cortada

₡824

₡522

₡348

₡273

₡249

Envase tipo carrete

₡223

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 014
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

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Hoja de datos

250En existencias

₡1 014

₡586

₡460

₡345

₡310

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

5 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 231
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

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Hoja de datos

164En existencias

₡1 231

₡602

₡558

₡430

₡404

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.43 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

TK5A80E,S4X
Toshiba
1: ₡1 220
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TK5A80E,S4X

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757-TK5A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

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Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

2.4 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: ₡1 073
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TK7A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

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₡1 073

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

TK8A25DA,S4X
Toshiba
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TK8A25DA,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A25DAS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

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₡350

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

7.5 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

π-MOS VII MOSFETs

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27 mOhms
70 mOhms
139 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
460 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
570 mOhms
580 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
720 mOhms
760 mOhms